Lithographie

Im Lithographieschritt werden die gewünschten Strukturen als Lackstruktur hergestellt. Dazu wird ein Lack, welcher für die verwendete Strahlung empfindlich ist, auf die Probe aufgebracht und danach belichtet. Nach dem Entwicklungsschritt liegt die gewünschte Struktur als Lackstruktur vor. Diese kann dann in weiteren Prozessschritten in das gewünschte Material übertragen werden.

Die TDSU1 betreibt zwei direktschreibende Lithographieanlagen (Elektronenstrahl basiert Raith 150two und Laser basiert DWL 66+) und einen Maske Aligner (MA6Gen4) für die Kontaktkopie von Masken.

Elektronenstrahllithographie: Raith 150two (Raith GmbH)

  • Beschleunigungsspannung EHT=0.1kV...30kV
  • Schreibfeld WF=(500µm)² ... (2mm)²
  • tage mit interferometrischer Positionskontrolle (Stitching 3σ < 40nm @WF 100μm, EHT 10kV, dwell time > 1μs)
  • Echtzeit Höhenkorrektur (accuracy σ < 1μm)
  • Overlay Belichtung (3σ < 40nm @WF 100μm, EHT 10kV, dwell time > 1μs)
  • Max. beschreibbare Fläche d=6", max. Probengröße d=8"
  • Fixed Beam - Moving Stage Schreib Modus
  • Grauwertbelichtung möglich